等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品及廠家
介紹：刻蝕設(shè)備在半導體行業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位，可以實現(xiàn)納米級的精密刻蝕。對復雜微結(jié)構(gòu)的器件加工，微電子器件的制造提供重要支持，在芯片領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
更新時間:2025-11-10
plasmapro 100 cobra icp rie系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括gaas和inp激光光電子、sic和gan電力電子/射頻以及mems和傳感器在內(nèi)的多個市場域。
更新時間:2025-09-09
sentech si 500 ccp 系統(tǒng)使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。
更新時間:2025-09-09
sentech si 591 緊湊型 rie 等離子蝕刻系統(tǒng)具有負載鎖定功能，是氯基和氟基 rie 的緊湊型解決方案。具有出色的工藝可重復性和等離子蝕刻工藝靈活性，這得益于真空負載鎖定和由計算機控制的等離子體蝕刻工藝條件。靈活性、模塊化和小尺寸是 sentech si 591 compact 的設(shè)計特點。可以裝載直徑達 200 mm 的樣品和載體。該系統(tǒng)可以配置為穿墻操作或具有多種選項的小占地
更新時間:2025-09-09
sentech etchlab 200 rie等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統(tǒng)，結(jié)合了rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點和直接負載的成本效益設(shè)計。
更新時間:2025-09-09
sentech si 500 c 低溫 icp-rie 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （icp） 處理的沿技術(shù)，其寬溫度范圍為 -150 °c 至 150 °c。 該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態(tài)溫控基板電、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設(shè)計特點。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細結(jié)si, sio2, si3n4, gaas和inp
更新時間:2025-09-09
lmec-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊層，例如磁存儲器的磁隧道節(jié)（mtj）、相
更新時間:2025-09-09
pangea®a系列常規(guī)ibs設(shè)備由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性。
更新時間:2025-09-09
lorem® a 系列常規(guī) ibs 設(shè)備，由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾
更新時間:2025-09-09
herent® chimera® a 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對 12 英寸 ic 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（tin）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一
更新時間:2025-09-09
herent® chimera® m 金屬刻蝕設(shè)備，為針對12英寸ic產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的用產(chǎn)品， 同時也可應用于鋁墊（al pad）刻蝕。該設(shè)備承襲了 chimera® a 的先進設(shè)計理念，具有出色的均勻性調(diào)控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案。
更新時間:2025-09-09
tebaank® pishow® p 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（icp etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成適用于0.11微米及其它技術(shù)代的多晶硅柵（poly gate）、側(cè)墻（spacer）、淺溝槽隔離（sti）工藝
更新時間:2025-09-09
kessel™ pishow® m 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的ic產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內(nèi)<8%，片間<5%）和顆粒控制。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產(chǎn)能。
更新時間:2025-09-09
詳細介紹icp是一種加工微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點。目被廣泛應用于si、sio2、sinx、金屬、iii-v族化合物等材料的刻蝕。可應用于大規(guī)模集成電路、mems、光波導、光電子器件等域中各種微結(jié)構(gòu)的制作。
更新時間:2025-09-09
pishow® d 系列深刻蝕設(shè)備，是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供si bosch工藝的解決方案。該設(shè)備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現(xiàn)產(chǎn)能升。
更新時間:2025-09-09
ccp腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學反應，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 haasrode® avior® a 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
更新時間:2025-09-09
對應光學器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700對應光學器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700是搭載了磁性中性線（nld- neutral loop discharge）等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。（可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）
更新時間:2025-09-09
eis-200erp是由elionix研發(fā)的離子束刻蝕設(shè)備，緊湊和高性能，使用 ecr 離子束可以進行納米蝕刻和沉積，制品特微。
更新時間:2025-09-09
eis-1500是由elionix研發(fā)的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內(nèi)分布監(jiān)控功能，可以實現(xiàn)各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕設(shè)備。
更新時間:2025-09-09
nmc 508系列 ccp介質(zhì)刻蝕機，多頻解耦設(shè)計，實現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。
更新時間:2025-09-09
1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)；2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)；3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空 。
更新時間:2025-09-09
1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空
更新時間:2025-09-09
本設(shè)備主要用于半導體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能，使用氣態(tài)化學刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應來進行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品，通過真空系統(tǒng)排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( pi) 薄膜、金屬等材料。
更新時間:2025-07-14
mems 蝕刻機tm 是使用xef2的簡單的各向同性硅蝕刻系統(tǒng)。通過將硅用作犧牲層，可以為mems的釋放提 供一種具有成本效益的解決方案。在我們看來，硅用作犧牲層并用xef2去除是微加工中使用的較好的釋放 工藝。
更新時間:2025-06-26
最新產(chǎn)品
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