原子層沉積系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家
itan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置。可對(duì)單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。
更新時(shí)間:2025-11-21
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場(chǎng)上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時(shí)間:2025-11-21
minilock-orion iii是一套最先進(jìn)的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。
更新時(shí)間:2025-11-21
nld-3500（a）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2025-11-18
npe-4000（icpm）icpecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-11-18
nld-4000（icpm）peald系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2025-11-18
nano-master針對(duì)ingan及algan沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(pa-mocvd),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的rf射頻等離子源以及工藝終端的n2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7torr極限真空)、pc全自動(dòng)控制，完全的安全互鎖。
更新時(shí)間:2025-11-18
nano-master(那諾-馬斯特)noc-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供最先進(jìn)的技術(shù)，系統(tǒng)的設(shè)計(jì)也可以支持其中任一個(gè)腔體的單獨(dú)使用，同時(shí)具備各自的自動(dòng)上/下載片功能。在一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級(jí)腔體中對(duì)同一樣片進(jìn)行表面涂覆，整個(gè)過程不間斷真空。
更新時(shí)間:2025-11-18
npe-4000（icpa）全自動(dòng)icpecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-11-18
npe-3500 pecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-11-18
npe-3000 pecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-11-18
nld-4000（icpa）全自動(dòng)peald系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2025-11-18
nld-4000（m）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上
更新時(shí)間:2025-11-18
nld-3500（m）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上
更新時(shí)間:2025-11-18
nld-3000原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2025-11-18
nte-4000（a）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)概述：nano-master nte-4000是一款pc計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備的設(shè)計(jì)經(jīng)過非常慎重的考慮:在小的占地面積情況下實(shí)現(xiàn)干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝過程。它們具有低價(jià)格, 高性能以及高能力的特點(diǎn)，可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用要求。 nte-4000熱蒸發(fā)系統(tǒng)可以在設(shè)定的rms電流下，或者在閉環(huán)的配置下操作，并且在這種情況下沉積速度的變化被用于調(diào)節(jié)rms電流以維持恒定的沉積速度。
更新時(shí)間:2025-11-18
nld-4000（a）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2025-11-18
專業(yè)定制的高頻電子控制紫外光源，光照均勻，無閃爍，延長(zhǎng)燈管壽命全電腦控制所有操作過程，高度程序化（電腦控制暗箱電源/紫外1、2及白光燈的開關(guān)/光圈/變焦/焦距）
更新時(shí)間:2025-11-14
picosun®r-200 advanced ald系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如ic組件，mems器件，顯示器，led，激光和3d對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。
更新時(shí)間:2025-09-24
picosun®p-300b ald系統(tǒng)是專為生產(chǎn)mems設(shè)備（例如打印頭，傳感器和麥克風(fēng)）以及各種3d物品（例如機(jī)械零件，玻璃或金屬薄板，硬幣，手表零件和珠寶，鏡片，光學(xué)器件以及醫(yī)療設(shè)備和植入物。
更新時(shí)間:2025-09-24
picosun獨(dú)特的突破性ald專業(yè)知識(shí)可追溯到ald技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ald方法，并在工業(yè)上獲得了。在高質(zhì)量ald系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
更新時(shí)間:2025-09-09
1、實(shí)驗(yàn)中心：提供免費(fèi)實(shí)驗(yàn)服務(wù)（特殊材料實(shí)驗(yàn)除外），幫助客戶了解電爐設(shè)備及實(shí)驗(yàn)物品的性能等參數(shù)。(新用戶限免費(fèi)實(shí)驗(yàn)1次，老用戶*)。2、技術(shù)咨詢：免費(fèi)為客戶提供電爐設(shè)備與實(shí)驗(yàn)材料相關(guān)的技術(shù)咨詢、常規(guī)技術(shù)服務(wù)等，設(shè)備配件更換，僅收成本費(fèi)。3、非標(biāo)訂制：可根據(jù)實(shí)際客戶需要訂制爐膛尺寸，配置相應(yīng)的對(duì)應(yīng)規(guī)格配件
更新時(shí)間:2025-08-20
美國(guó)svt公司ald原子層沉積系統(tǒng)自1990年來薄膜淀積設(shè)備制造商。擁有獨(dú)立的室內(nèi)實(shí)驗(yàn)室用于材料研究和工藝開發(fā)。提供廣泛的服務(wù)，包括淀積設(shè)備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制設(shè)備制造和工藝技術(shù)的高度結(jié)合，為客戶提供的技術(shù)服務(wù)實(shí)驗(yàn)室7臺(tái)應(yīng)用淀積設(shè)備生長(zhǎng)出的材料多條設(shè)備生產(chǎn)線幾乎覆蓋了整個(gè)薄膜淀積設(shè)備市場(chǎng)在薄膜淀積領(lǐng)域擁有超過120臺(tái)設(shè)備的供應(yīng)商。
更新時(shí)間:2025-06-23
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu)，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu)，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu)，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu)，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
此產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：半導(dǎo)體、納米材料、鈉米科技、薄膜材料、薄膜沉積以及航空航天領(lǐng)域。 picosun公司是一個(gè)國(guó)際化的設(shè)備制造商，在全球有銷售和服務(wù)機(jī)構(gòu).我們開發(fā)和制造原子層沉積反應(yīng)器用于微米和納米技術(shù)應(yīng)用。picosun為客戶提供用戶友好，可靠及多產(chǎn)的ald工藝工具，提供從研發(fā)到生產(chǎn)的工業(yè)放大。picosun基地在芬蘭的espoo，美國(guó)總部在detroit。sunale型ald工藝工具被用于歐州、美國(guó)及亞洲前沿的科學(xué)機(jī)構(gòu)、公司。
更新時(shí)間:2020-05-26
neocera公司的使命是為研究新型先進(jìn)薄膜材料和器件的科學(xué)家和工程師提供服務(wù)。我們通過以下手段來實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)：
更新時(shí)間:2020-05-26
ion beam assisted deposition (離子輔助沉積) 離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù) 高性能的ibad(離子輔助沉積)系統(tǒng)
更新時(shí)間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āＴ訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
更新時(shí)間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āＴ訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子
更新時(shí)間:2020-05-26
深圳北斗芯微科技有限公司是一家專業(yè)pcb線路板設(shè)計(jì)，芯片解密和oem代工的的公司，主要從事:pcb layout；pcb改板，電路板克隆（抄板）；pcb轉(zhuǎn)原理圖，bom單制作； 各類電路板制板；樣機(jī)制作、調(diào)試，pcb批量生產(chǎn)，防抄板技術(shù)，半成品加工，oem代工生產(chǎn)，芯片解密等 。公司擁有一批具有多年線路板設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)技術(shù)精英，對(duì)多層pcb板有極 其詳盡透徹的了解，對(duì)含有激光孔、盲孔、埋孔的高端pcb板結(jié)構(gòu)及走線規(guī)則的 理解更是勝人一籌。無論是元件密集，遍布微帶線、等長(zhǎng)線的電腦主板、高端顯卡板、千兆網(wǎng)絡(luò)設(shè)備基板，或是對(duì)高頻處理要求苛刻，電磁兼容性控制嚴(yán)格的小靈通主板、手機(jī)主板、無線網(wǎng)卡、藍(lán)牙板、路由器及其他無線通訊設(shè)備，以及疊層多達(dá)30多層pcb板，盲孔埋孔密布的工控主板，我們都能依據(jù)客戶提供的一套完好樣板一次性克隆成功。
更新時(shí)間:2012-07-18
原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種前驅(qū)體物種，化學(xué)吸附的過程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖a，清洗a，脈沖b和清洗b。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
更新時(shí)間:2012-03-08
最新產(chǎn)品
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