單晶硅的制作硅單晶按拉制方法不同分為無坩堝區(qū)熔(fz)單晶與有坩堝直拉(cz)單晶。區(qū)熔單晶不受坩堝污染,純度較高,適于生產(chǎn)電阻率高于20歐·厘米的n型硅單晶(包括中子嬗變摻雜單晶)和高阻 p型硅單晶。由于含氧量低,區(qū)熔單晶機(jī)械強(qiáng)度較差。大量區(qū)熔單晶用于制造高壓整流器、晶體閘流管、高壓晶體管等器件。直接法易于獲得大直徑單晶,但純度低于區(qū)熔單晶,適于生產(chǎn)20歐·厘米以下的硅單 硅材料晶。由于含氧量高,直拉單晶機(jī)械強(qiáng)度較好。大量直拉單晶用于制造mos集成電路、大功率晶體管等器件。外延片襯底單晶也用直拉法生產(chǎn)。硅單晶商品多制成拋光片,但對fz單晶片與cz單晶片須加以區(qū)別。外延片是在硅單晶片
更新時間:2025-12-02