QT2,晶體管圖示儀,二極管測試儀,MOS管測試儀,IGBT測試儀
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- QT2型晶體管特性圖示儀可根據需要測量半導體二極管、三極管的低頻直流參數。
- 最大集電極電流可達50A，基本滿足500W以下的半導體管的測試。
- 具備高壓測試能力，可對3KV（5KV）\\以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試，其測試電流靈敏度可達到0.5uA/度。
- 基極階梯信號具有脈沖階梯輸出，可測量二次擊穿特性。
集電極掃描信號 （輸出電壓范圍/電流容量）三極管和二極管 0～10V / 50A （脈沖階梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二極管高壓測試 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）
基極階梯信號
- 階梯電流:1uA～200mA/級，分17檔
- 階梯電壓:0.05～1V/級，分5檔
- 階梯波形:正常（100%），脈沖（10～40%）
Y軸偏轉系數
- 集電極電流:1uA～5A/度，分21檔
- 二極管電流:1～500uA/div，分9檔
- 集電極及二極管電流倍率:×0.5
X軸偏轉系數
- 集電極電壓:10mV～50V/度，分12檔
- 二極管電流:100～500V/度，分3檔
- 基電極電壓:10mV～1V/度，分7檔
一般性能
- 顯示面10×10div（1div=0.8cm）
- 視在功率 約80VA
- 約300VA（最大功率）
- 外形尺寸 30×40×52cm
- 重量 30kg
反向擊穿電壓測試
- VCBO 集電極 - 基極 （發射極開路）
- VEBO 發射極 - 基極 （集電極開路）
- VCEO 集電極 - 發射極 （基極開路）
- VCER 集電極 - 發射極 （基極與發射極間電阻連接）
- VCES 集電極 - 發射極 （基極與發射極短路）
各種特性曲線
- VCE - IC 共發射極 （基極信號為變量）
- IB - IC 共發射極
- VBE - IB 共發射極
- VBE - IO 共發射極
WQ4832圖示儀 晶體管測試儀 晶體管圖示儀 二三極管測試儀
圖示儀 晶體管測試儀 晶體管圖示儀 二三極管測試儀 WQ4832
集電極掃描信號 輸出電壓范圍及電流容量 0～5V 10A 0～10V 5A 0～50V 1A 0～100V 0.5A 0～500V 0.1A 0～5000V 5mA 0～500VAC 0.1A 功耗限制電阻：0～500kΩ 分11檔 基極階梯信號 階梯電流 0.5μA/級～100mA/級，分17檔 階梯電壓 0.05V級～1V/級，分5檔 Y軸偏轉系數 集電極電流 0.5μA/div～1A/div，分20檔 二極管電流 50nA/div～1μA/div，分5檔 X軸偏轉系數 集電極電壓 10mV/div～50V/div，分12檔 一般性能 適應電源 AC220V±10% 50Hz±4% 視在功率 約50VA（非測試狀態） 約80VA最大功率 外形尺寸 320×210×400mm 重量 18kg
晶體管圖示儀 WQ4832
XJ4810 / XJ4810A 晶體管圖示儀 銷售維修
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- XJ4810型/XJ4810A型半導體管特性圖示儀采用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線，并測量其靜態參數。
- 具有二簇曲線顯示，左右分列顯示并可左右位移，雙向集電極掃描電路，可以對被測半導體器件的特司長進行對比分析，便于對管或配件配對。
- 本機IR測量達200nA/div，配備擴展裝置后，VC可達3KV；
- 可測試CMOS及TTL門電路傳輸特性；
- 可對場效應管進行配對或對管測試；
- 可測試三端穩壓管特性。
集電極掃描信號
輸出電壓范圍及電流容量
| 0～5V | 10A（XJ4810A） |
| 0～10V | 5A |
| 0～50V | 1A |
| 0～100V | 0.5A |
| 0～500V | 0.1A |
基極階梯信號
| 階梯電流 | 0.2μA/級～50mA/級，分17檔（XJ4810） |
| 0.2μA/級～100mA/級，分18檔（XJ4810A） | |
| 階梯電壓 | 0.05V級～1V/級，分5檔（XJ4810） |
| 0.1V級～2V/級，分5檔（XJ4810A） |
Y軸偏轉系數
| 集電極電流 | 10μA/div～0.5A/div，分15檔（XJ4810） |
| 10μA/div～1A/div，分16檔（XJ4810A） | |
| 二極管電流 | 0.2μA/div～5μA/div，分5檔 |
| 倍率 | ×0.1 |
X軸偏轉系數
| 集電極電壓 | 0.05V/div～50V/div，分10檔 |
| 基極電壓 | 0.05V/div～1V/div，分5檔 |
XJ-4810型半導體特性圖示儀，是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線，并可測量其靜態參數的測試儀器。
1.1 本儀器主要由以下幾個部分組成：
1.1.1 Y軸放大器及X軸放大器。
1.1.2 階梯信號發生器
1.1.3 集電極掃描發生器
1.1.4 主電源及高壓電源部分
1.2 本儀器是繼JT-1后的開發產品，它除了繼承JT-1的優點外，作了較大改進與提 高，它與其他半導體管特性圖示儀相比，具有以下特點：
1.2.1 本儀器采用全晶體管化電路、尺寸小、重量輕。
1.2.2 增設集電極雙向掃描電路及裝置，能同時觀察二極管的正反向輸出特性曲線、簡化測試手續。
1.2.3 配有雙簇曲線顯示電路，對于中小功率晶體管各種參數的配對，尤為方便。
1.2.4 本儀器專為工作于小電流超b晶體管測試作了提高，最小階梯電流可達0.2μA/級
1.2.5 本儀器還專為測試二極管的反向漏電流采取了適當措施，使測試的IR達20nA/div。
1.2.6 本儀器配上它的擴展裝置—XJ27100場效應管配對測試臺可對國內外各種場效應對管和單管進行比較測試。
1.2.7 本儀器配上它的擴展裝置—XJ27101數字集成電路電壓傳輸特性測試臺，可測試CMOS，TTL數字集成電路的電壓傳輸特性。
主要技術指標
2.1 Y軸偏轉因數
集電極電流范圍（Ic）10μA/div-0.5A/div 分15檔，誤差不超過±3%。
二極管反向漏電流（IR）0.2μA/div-5μA/div 分5檔。
2μA/div-5μA/div 誤差不超過±3%。
0.2μA/div、0.5μA/div、1μA/div 誤差分別不超過±20%、±10、±5%
基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過±3%。
外接輸入 0.05V/div 誤差不超過±3%。
偏轉倍率 ×0.1 誤差不超過±（10%+10nA）。
2.2 X軸偏轉因數
集電極電壓范圍 0.05V/div—50V/div 分10檔 誤差不超過±3%。
基極電壓范圍 0.05V/div—1V/div 分5檔 誤差不超過±3%。
基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過±3%。
外接輸入 0.05V/div 誤差不超過±3%。
2.3階梯信號
階梯電流范圍： 0.2μA/級-50mA/級 分17檔
1μA/級-50mA/級 誤差不超過±5%。
0.2μA/級、0.5μA/級 誤差不超過±7%。
階梯電壓范圍： 0.05V/級-1V/級 分5檔 誤差不超過±5%。
串聯電阻： 0、10KΩ、1MΩ 分3檔 誤差不超過±5%
每簇級數； 1—10連續可調
每秒級數： 200
極性： 正、負 分2檔
2.4 集電極掃描信號
峰值電壓與峰值電流容量：各檔級電壓連續可調，其最大輸出不低于下表要求（AC例外）
檔級 198V 220V 242V0—10V 檔0—9V 5A0—10V 5A0—11V 5A
0—50V 檔0—45V 1A0—50V 1A0—55V 1A
0—100V 檔0—90V 0.5A0—100V 0.5A0—110V 0.5A
0—500V 檔0—450V 0.1A0—500V 0.1A0—550V 0.1A
功耗限制電阻0—0.5MΩ分11檔，誤差不超過±10%
YB-580半導體圖示系統 晶體管圖示儀 分立器件測試儀 IGBT測試儀
產品介紹
YB580 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)測試系統（以下簡稱 YB580 測試系統）符合:國際電工委員會 IEC 60747-9-2001 規范,符合國標 GB/T17007-1997 規范。YB580 測試系統是本公司推出的一種先進的 IGBT 測試系統。適合研究所、生產企業做元器件篩選檢驗，IGBT 生產廠用做生產測試，院校做測試分析。
系統可擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流的測試能力,自動快速測試可以滿足用戶大生產需要，故障率低也保證了用戶的生產效率。在 PC 窗口提示下輸入被測器件的測試參數即可完成填表編程，操作人員不需具備專業計算機編程語言知識，使用簡捷方便。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證各種情況下測試結果的準確可靠。系統面板的顯示裝置能夠及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果。系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。
基本配置
1、主極電壓： 0－－2000V ； 2、電壓分辨率：1mV； 3、主極電流：0－－-50A(100A、200A、400A、
500A、700A、800A、1000A、1300A可選）； 4、電流分辨率：1nA ； 5、精度：0.5%+2LSB ； 6、測試速度：0.5MS/參數；
7、可提供的選件有 3000V 陽極高壓選件。
| 序號 | 測試參數 | 別稱 | 序號 | 測試參數 | 別稱 |
| 1) | 柵極-發射極閾值電壓 | Vgeth | 2) | 集電極-發射極截止電流 | ICES |
| 3) | 集電極－發射極擊穿電壓 | BVCES | 4） | 集電極-發射極飽和電壓 | VCESAT |
| 5） | 柵極-發射極漏電流正向 | IGESF | 6） | 柵極-發射極漏電流反向 | IGESR |
| 7） | 門極開通電壓 | VGEON | 8） | 二極管壓降 | VF |
| 9） | 通態電流 | ICON | 10） | 跨導 | GFS |
| 11） | 導通電阻 | RDSON | 12） | 其他功率器件（MOS,晶體管等）的測試 |
技術要求
工作溫度： 25℃－－40℃
貯存溫度: -15℃－－50℃
工作濕度： 45%－－80%
貯存濕度：10%－－90%
工作電壓：200v－－240v
電源頻率：47HZ－－63HZ
接地要求：供電電源應良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統功耗：<150w
設備尺寸：450mm×570mm×280mm
BJ4814 BJ4814 晶體管圖示儀|美達
A. 工作方式: 分集電極電壓(Vc),基極電壓(Vb),二極管電壓(Vd)和階梯信號四類.
誼邦YB6600大功率半導體圖示系統 晶體管圖示儀 分立器件測試儀 IGBT測試儀
產品介紹
YB6600是一款很具有代表性的新型半導體晶體管圖示系統，本系統可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據客戶的實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統在失效分析，IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應用。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立，保證了數據的準確可靠。系統典型的測試時間是6 to 20ms,通常上百個數據點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現出來，數據捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究，是一款高效多功能的高端半導體測試設備。
本系統使用方便，只需要通過USB或者RS232與電腦連接，通過電腦中友好的人機界面操作，即可完成測試。并可以實現測試數據以EXCEL和WORD的格式保存。系統提供過電保護功能，門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設備狀態和測試結果提供了可靠地保證。
基本配置 1.測 試 電 壓： 0-2KV 2.測 試 電 流： 0-50A，
(可擴展到1000A) 3.電 壓分辨率： 1mV 4.電流 分辨率： 0.1nA 5.測 試 精 度： 0.2%+2LSB
6.測試速度：0.2MS/參數
| 1 | 雙向可控硅（TRIAC） | 2 | 結型場效應管（J-FET ） |
| 3 | MOS場效應管（Power MOSFET） | 4 | 晶體管（Transistor） |
| 5 | 絕緣柵雙極大功率晶體管（IGBT） | 6 | 達林頓陣列(Darliknton) |
| 7 | 可控硅整流器（SCR ） | 8 | 穩壓/齊納二極管（Zener） |
| 9 | 三端穩壓器（REGULATOR ） | 10 | 光電耦合器（OPTO-COUPLER） |
| 11 | 二極管(Diode) | 12 | 雙向觸發二極管（DIAC) |
| 13 | 固態過壓保護器（SOVP） | 14 | 繼電器（RELAY） |
曲線測試種類 ID vs. VDS at range of VGS ID vs. VGS at fixed VDS IS vs. VSD RDS vs. VGS at fixed ID IDSS vs. VDS RDS vs. ID at several VGS HFE vs. IC BVCE（O,S,R,V） vs. IC BVEBO vs. IE BVCBO vs. IC VCE（SAT） vs. IC VBE（SAT） vs. IC VBE（ON） vs. IC VCE（SAT） vs. IB
系統特點 1.圖形顯示功能
2.局部放大功能 3.程序保護最大電流/電壓,以防損壞
4.品種繁多的曲線 5.可編程的數據點對應
6.增加線性或對數 7.可編程延遲時間可減少器件發熱
8.保存和重新導入入口程序 9.保存和導入之前捕獲圖象
10.曲線數據直接導入到EXCEL 11.曲線程序和數據自動存入EXCEL
12.程序保護最大電流/電壓,以防損壞
技術要求
工作溫度：25℃－－40℃
貯存溫度: -15℃－－50℃
工作濕度：45%－－80%
貯存濕度：10%－－90%
工作電壓：200v－－240v
電源頻率：47HZ－－63HZ
接地要求：供電電源應良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統功耗：<150w
設備尺寸：450mm×570mm×280mm
測試功能
YB6600測試系統是一套高速多用途半導體分立器件智能測試系統，它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，可真實準確測試下列各種大、中、小功率的半導體分立器件。
誼邦YB6500大功率半導體圖示系統 晶體管圖示儀 分立器件測試儀 IGBT測試儀
YB6500產品介紹
YB6500測試系統是本公司推出的一款先進的大功率半導體分立器件和功率半導體模塊測試系統。
本系統適合各大研究所做元器件檢驗以及在線開發器件做生產測試。系統可擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流的測試能力和增加測試品種范圍。自動快速測試可以滿足用戶大生產需要，故障率低也保證了用戶的生產效率。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試參數即可完成填表編程，操作人員不需具備專業計算機編程語言知識，使用簡捷方便。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證各種情況下測試結果的準確可靠。
系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。
基本配置
1、主極電壓： 0－－-2000V
2、電壓分辨率：1mV
3、主極電流： 0－－-50A。
可擴展到：100A,200A,400A ，500,600A,800A,1000A，1300A。
4、電流分辨率：1nA 可擴展為10pA
5、測試精度：0.2%+2LSB
6、測試速度：0.5MS/參數
統測試功能
YB6500系統是專為測試半導體分立器件和大功率半導體模塊器件而研發設計。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，能夠真實準確測試以下類型的半導體器件以及相關器件組成的組合器件、器件陣列：
| 序號 | 測試元件類別 | 別稱 |
| 1 | 二極管 | DIODE |
| 2 | 晶體管 | TRANSISTOR（NPN型/PNP型） |
| 3 | J型場效應管 | J-FET |
| 4 | MOS場效應管 | MOS-FET |
| 5 | 雙向可控硅 | TRIAC |
| 6 | 可控硅 | SCR |
| 7 | 絕緣柵雙極大功率晶體管 | IGBT |
| 8 | 硅觸發可控硅 | STS |
| 9 | 達林頓陣列 | DARLINTON |
| 10 | 光電耦合 | OPTO-COUPLER |
| 11 | 繼電器 | RELAY |
| 12 | 穩壓、齊納二極管 | ZENER |
| 13 | 三端穩壓器 | REGULATOR |
| 14 | 光電開關 | OPTO-SWITCH |
| 15 | 光電邏輯 | OPTO-LOGIC |
| 16 | 金屬氧化物壓變電阻 | MOV |
| 17 | 固態過壓保護器 | SSOVP |
| 18 | 壓變電阻 | VARISTOR |
| 19 | 雙向觸發二極管 | DIAC |
注：部分測試器件需要適配器。
測試參數表
漏電參數： IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、 IGSSF、 LGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數： BVCEO BVCES、BVDSS、 VD、 BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數： hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH
導通參數: VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)、VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
關斷參數: VGSOFF
觸發參數: IGT、VGT
保持參數: IH、IH+、IH-
鎖定參數： IL、IL+、IL-
混合參數: RDSON、GFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數: IL
CS3100巖琦晶體管圖示儀
（一）多用途性（Versatility）
現代的測試設備所須的功能，必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產品其電流可通過1200A及阻斷電壓可高達3300V，但不久之后IGBT的產品即會有達到4500V及2000A的能力。且無人可預測未來其電壓及電流可達到多少，再者，現今IGBT 的測試設備，也須能測試新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。
因此，測試設備的評估上，須能適應及符合未來可能的發展，其不論是硬體，如電壓電流產生器或軟體上。
IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了最佳的解決方案
（二）操作簡單（Ease of Handling）
測試設備除了上述之特色外，應仍保持操作簡單及效率佳的能力。達此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓練即可操作此設備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來會更加方便。此測試系統亦可經常地改變測試的半導體元件的型式（通常一天數次），對新的半導體元作的型式其可能會須要不同的制具（jig），或是更復雜的驅動閘控制，或是一緩沖器 （Sunbber） 的保護等。因此，使用模組化系 統即可達到上述之需求。在一個基本的測試系統上，加上一些可更換的測試單元，使其可執行不同范圍產品的量測。
（三）安全性（Safety）
IGBT的測試系統因其可提供非常高的電壓輸出，對操作者來講是有一 潛在的危險性，當在操作高電壓及大電流時，操作員的安全性應予以考慮，即該設備須在不同國家的規范中皆可符合其安全標準。
在執行測試時，在危險的區域應使用滑動式門鎖定而予以保護，所有參數皆應設置于安全的工作區域中，所有的保護措施的控制皆應由硬體部份來控制，而不是軟體來控制。很顯然的，在整條生產線上（研發測試時），時間是一個很重要的因素，因此，安全系統必須要很方便，而盡可能地對測試的速度影響愈小愈好。
靜態測試（Static tests）
此測試之目的在提供元件（device）的詳細特性，讓設計者能精確地預測元件在穩態（Steady state）情況時之行為，此可協助使用者選擇最佳的元件來用于他的應用中，更進一步地讓其對與半導體元件相連接的設備如：電壓鉗式單元，閘極驅動，冷卻系統等的設計更為妥切。
（一）集射極崩潰電壓 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量測于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會隨著介面（Junction）溫度增加而增加的（典型對600V之IGBT 會有0.7V/℃）
（二）集極至射極的泄漏電流IcEs ［或稱為集極的截止（Cut-off ）電流］
在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值（如圖2）, IcEs的量測通常在25℃及最大的工作介面（Junction）溫度，且集極泄漏電流 亦會隨介面溫度升高而增加。因此，在測試期間限制電流流過及避免 thermal升高是很重要的。
（三）集極至射極的飽和電壓 （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（圖3）是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時之集射極導通電壓VcEsat是相當重要的特性，因為其會決定導通之損失，在大的 極電流時，測試的脈沖必須非常短，如此不致有過多之損失。
（四）二極體順向電壓（Diode Forward Voltage） VF
VF（圖4）是指IGBT模組中的飛輪二極體（Freewheeling Diode）在特定電流
及介面溫度時之順向導通電壓值。
（五）閘極臨界電壓（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（圖5）是指在特定集極電流及閘極短路至集極時之射極的電壓值。 當閘射極電壓小于臨界值時IGBT是OFF狀態，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導通并流過特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的（-11mV/℃）。
（六 ）跨導（Transconductance） gfs
跨導（gfs）（圖6）是于特定集極電流時，集極電流和閘射極電壓之商數 。 跨導是用來表示IGBT增益的方式。由于跨導的量測是在清楚嚴格的特定條件下所做的兩個量測之值，因此，測試設備的精準性對測試結果有很大的影向力。
第二種方法是調整閘射極電壓至特定的集射極電壓（VP）并思考下列式子：
△ VGE = △Vp
IGBT的順向跨導是會隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時，增加集極電流時，因電流Thermal run-away而會使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來當做一個線性放大器使用。
（七）閘極至射極之泄漏電流IGEs
IGEs（圖8）是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時閘極之泄漏電流 。此測試可能可以知道正或負的閘射極電壓。所量測的電流是相當小的，因此，脈沖至少須維持一個電源周期的積分時間，避免因閘極電容吸收的電流所產生之誤差。此量測必須在閘極電壓穩定后才可進行。
WQ4832 晶體管圖示儀
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QT2晶體管圖示儀
| 晶體管圖示儀 QT2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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