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DF4822晶體管特性圖示儀

DF4822晶體管特性圖示儀

● 集電極掃描電壓達到500V，最大電流達2A

● 具備交替測量顯示，可同時顯示二極管的正、反相特性

● 集電極電流范圍：10uA-0.2A/度。

● 基極電壓范圍：50mV-0.5V/度。

● 集電極電壓范圍：50mV-50V/度。

● 階梯電流范圍：5uA-10mA/級。

● 階梯電壓范圍：50mV-0.5V/級。

● 極性：正，負二檔。

● 每族級數：10級/族。

 

DF4822型圖示儀

外形尺寸

 310×138×300mm

價格 2200元
重量 10kg
特點
該儀器在標準的半導體特性圖示儀基礎上進行了優化設計，具有體積小，性高，使用簡便的特點。具有交替測量顯示功能，可同時顯示二極管的正、反相特性。低售價，性高。
主要技術參數
型號DF4822DF4810
顯示屏幕5×5cm10×10cm
集電極電流10μA～0.2A/div0.5μA～1A/div
誤差10%3%
集電極電壓50mV～50V/divVD 500V/divVC 10mV～50V/div
誤差10%5%
階梯電壓50mV～0.5V/div50mV～1V/div
誤差10%5%
階梯電流5μA～10mA/級5μA～100mA/級
誤差10%5%
集電極掃描信號范圍及容量0～20V,2A0～50V,1A0～500V,0.1A0～100V,0.5A0～500V,0.1A0～5kV,5mA0～500VAC,0.1A

XJ4832型 數字存儲100A半導體管特性圖示儀

本機是新一代數字化測量儀器。采用新穎電路設計技術，通過微處理器集中控制整個系統的數據采集、顯示、打印、存儲，處理人機交互信息等。具有高集成度、高性。以屏幕顯示測試檔級及用光標測試被測器件的各種直流參數，并可將測試結果存儲、打印、隨時調用。本機具有友好的人機界面，有中、英文兩種語言供選擇。

    綜合的存儲能力
    被測器件的各種特性曲線可存儲在機內，可隨時調用。并可同時顯示二簇特性曲線，便于用戶對被測器件的比較和配對。
    自動光標測量
    提供自動光標測量功能，通過屏幕顯示測試值、β、Gfs。
    應用范圍廣
    最大測試電流(IC)達100A，最大測試電壓(VC)達1000V，并且階梯電壓(VB)具有Δ VB±l0V偏置電壓，除滿足一般二端、三端半導體器件測試以外，特別適宜大功率VMOS、IGBT管等場控器件的測試。
    友好的人機操作界面
    采用8英寸彩色LCD顯示系統，并具有中、英文兩種語言選擇，最大方便用戶的控制操作。
集電極掃描信號
 
輸出電壓范圍及電流最大容量：
0-10V 100A 0-50V 10A 0-200V 0.25A 0-1000V 0.05A
集電極掃描信號工作方式
 
 
自動：0．5S、1S、2S 手動：單次
功耗限制電阻：
0-500k Ω，按1、2、5進制共12檔
基極階梯信號
 
階梯電流(IB)：
2μA／級-1A／級，按1、2、5進制共18檔
階梯電壓(VB)：
50mV／級-2V／級，按1、2、5進制共5檔
階梯偏置電壓(Δ VB)：
±10V
Y軸偏轉系數
 
集電極電流（IC）：10μA/div-10A/div，按1、2、5進制共19檔
X軸偏轉系數
 
集電極電壓(VC)：50mV/div-100V/div，按1、2、5進制共11檔
基極電壓(VB)： 50mV/div-2V/div，按1、2、5進制共6檔
屏幕顯示 水平X： 顯示V／div
垂直Y： 顯示A／div
階梯S： 顯示A／級、V／級、階梯偏置電壓
轉換因子： β、Gfs
掃描電壓： 顯示掃描電壓峰值輸出百分比
功耗電阻： 電阻值
顯示系統
顯示類型： 8英寸彩色液晶顯示器
顯示分辨率： 640×480
顯示對比度： 可調
—般性能
使用電源： AC 220V/50Hz
視在功率： 最大功率約400W
外形尺寸： 325B×395H×630Dmm
重量：約28kg

聯系我們：http://www.1718sh.com    電話：021-51575232 51575252     傳真：021-51575133     地址：上海市中山西路2281號徐匯晶典大廈15樓

CA4810A圖示儀

CA4810A半導體管圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線的儀器，并可測量低頻靜態參數。是從事半導體管研究制造及無線電領域工作者的一種必不可少的儀器。 產品特性
  • 集電極功耗電源電壓范圍：0～500V電流范圍：0.1A～10A功耗電阻：0～500kΩ分11檔
  • 階梯電壓范圍：0.05V/級～2V/級
  • 具有雙簇顯示功能
  • 特有場效應管配對和測試功能
  • 5kV高壓測試臺
產品附件
  • 用戶使用手冊
  • 高壓測試臺（選配）
  • 電源線
  • 合格證
該公司產品分類： 可編程直流電源 安規測試儀 晶體管特性圖示以 電參數測試儀 LCR數字電橋 電子負載 示波器

YB6600半導體特性圖示儀、誼邦電子圖示儀、分立器件圖示儀

一、YB6600誼邦電子半導體特性圖示儀特點

1.  曲線基于計算機顯示
2.  多種器件的多種曲線
3.  數據點是可控的
4.  增量可以是線性或對數
5.  可控的關斷時間，以減小器件發熱
6.  可保存和調用曲線程序
7.  保存和調用先前捕獲的曲線圖片
8.  完全自動存儲數據到excel
9.  預置最大電壓和最大電流限制防止器件損壞和發熱
10. 存儲/調用測試程序
11. 多樣的連續曲線
12. 在測試程序中的電流限制
13. 使用方便
①選擇曲線 ②輸入范圍 ③按下啟動
14. 使用高速ATE系統生成曲線
二、YB6600誼邦電子半導體特性圖示儀系統指標
a-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mv－－2000v  
a-k 極間測流范圍:                   ±100pa－－49.90a      
a-k 極間加流范圍:                   ±100na－－49.90a   
a-k 極間測壓范圍:                   ±2.500mv－－2000v 
g-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mv－－20v   
g-k 極間測流范圍:                   ±100pa－－10a        
g-k 極間加流范圍:                   ±100na－－10a      
g-k 極間測壓范圍:                   ±2.500mv－－20v
a-k 極間加/測壓精度:              1%+10mv
a-k 極間加/測流精度:              1%+10na+20pa/v
g-k 極間加/測壓精度:             1%+5mv
g-k 極間加/測流精度:              1%+10na+20pa/v
電參數測試重復性：                  2%
最大電壓分辨率:                      1mv
最大電流分辨率:                      0.1na
三、YB6600誼邦電子半導體特性圖示儀可實現曲線（13類器件32種曲線）
1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金屬-氧化物-半導體 場效應管）
id vs vds （在vgs范圍內）
id vs vgs （在一個固定的id）
is vs vsd
rds vs vgs （在一個固定的vds）
rds vs id （在vgs范圍內）
2、晶體管（transisitor）
hfe vs ic
bvce（o.s.r.v） vs ic
bvebo vs ie
bvcbo vs ic
vce（sat）（在一定的ic/ib比率）
vce（sat） vs ib（在ic的范圍內）
vbe（sat） vs ib （在一定的ic/ib比率）
vbe（on） vs ic （在一定的vce）
3、igbt（n-channel＆p- channel）（絕緣柵雙極晶體管）
ic vs vce （在vge范圍內）
ic vs vge （在一定的vce）
ices vs vce
if vs vf
4、diode （二極管）
if vs vf
ir vs vr
5、zener （穩壓管）
if vs vf
ir vs vr
6、triac （雙向可控硅）
it vs vt（+/-）  （在一個固定的ig）
7、scr （單項可控硅）
it vs vtm （在一個固定的ig）
8、ssvop（固態過壓保護器）
it vs vt（+/-）  （在一個固定的ibo）
9、sidac（高壓觸發二極管）
it vs vt（+/-）  （在一個固定的ibo）
10、diac（雙向觸發二極管）
id vs vf（+/-）
11、regulator（穩壓器）
electronic load vs v out（在一個固定最大電流）
12、j-fet（（n-channel＆p- channel）） （結型場效應管）
id（off） vs vds（在vgs范圍內）
id（off） vs vgs（在一個固定的vds）
id（on） vs vds（在vgs范圍內）
id（on） vs vgs（在一個固定的vds）
13、curve tracer mode only（曲線跟蹤模式）
ic vs vce（在一個固定的ib）

 

該公司產品分類： 功率器件測試儀 半導體測試儀 測試儀 圖示儀

YB-580半導體圖示系統 晶體管圖示儀 分立器件測試儀 IGBT測試儀

  產品介紹

    YB580 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)測試系統（以下簡稱 YB580 測試系統）符合:國際電工委員會 IEC 60747-9-2001 規范,符合國標 GB/T17007-1997 規范。YB580 測試系統是本公司推出的一種先進的 IGBT 測試系統。適合研究所、生產企業做元器件篩選檢驗，IGBT 生產廠用做生產測試，院校做測試分析。

系統可擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流的測試能力,自動快速測試可以滿足用戶大生產需要，故障率低也保證了用戶的生產效率。在 PC 窗口提示下輸入被測器件的測試參數即可完成填表編程，操作人員不需具備專業計算機編程語言知識，使用簡捷方便。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證各種情況下測試結果的準確可靠。系統面板的顯示裝置能夠及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果。系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。

基本配置

 1、主極電壓：  0－－2000V ；     2、電壓分辨率：1mV；     3、主極電流：0－－-50A(100A、200A、400A、

    500A、700A、800A、1000A、1300A可選）；     4、電流分辨率：1nA ；     5、精度：0.5%+2LSB ；     6、測試速度：0.5MS/參數；

 7、可提供的選件有 3000V 陽極高壓選件。

 

序號

測試參數

別稱

序號

測試參數

別稱

1)

柵極-發射極閾值電壓

Vgeth

2)

集電極-發射極截止電流

ICES

3)

集電極－發射極擊穿電壓

BVCES

4）

集電極-發射極飽和電壓

VCESAT 

5）

柵極-發射極漏電流正向  

IGESF

6）

柵極-發射極漏電流反向

IGESR

7）

門極開通電壓 

VGEON

8）

二極管壓降

VF 

9）

通態電流  

ICON 

10）

跨導

GFS 

11）

導通電阻  

RDSON

12）

其他功率器件（MOS,晶體管等）的測試

 

技術要求

工作溫度： 25℃－－40℃

貯存溫度: -15℃－－50℃

工作濕度： 45%－－80%

貯存濕度：10%－－90%

工作電壓：200v－－240v

電源頻率：47HZ－－63HZ

接地要求：供電電源應良好接地。

通信接口：RS232 USB

系統功耗：<150w

設備尺寸：450mm×570mm×280mm

該公司產品分類： 晶體管圖示儀

L271546 智能半導體管特性圖示儀

 
L271546    
產品名稱：
智能半導體管特性圖示儀
產品簡述：
EHSY Lab品質提供的智能半導體管特性圖示儀，性能，能滿足您不同工 作環境的多種需求 的智能儀器：測試開關智能控制，各種控制開關測試條件可預置、測試 結果可存盤、可打印輸出，并可適用PC機顯示被測器件特性曲線； 綜合的存儲能力：被測器件的各種特性曲線可編輯存儲在機內硬盤或軟盤中， 可隨時調用。并可同時顯示二簇特性曲線，便于用戶對被測器件的比較和配對； 自動光標測量：提供光標測量方式，用CRT讀出，顯示測試檔級、測試值、β、 gm及集電極峰值電壓輸出百分比； 友好的人機界面：最大可能的方便用戶控制操作，用VGA顯示器顯示，分辨 率高； 主要技術指標： 集電極掃描信號：輸出電壓范圍及電流容量：0～10V 50A 0～60V 5A， 0～350V 1A 0～2000V 0.1A； 基極階梯信號： 階梯電流：1μA/級～0.5A/級,按1、2、5進制共18檔； 階梯電壓：0.1V/級～2V/級,按1、2、5進制共5檔； Y軸偏轉系數：集電極電流：1μA/div～5A/div,按1、2、5進制共21檔； X軸偏轉系數：集電極電壓：50mV/div～200V/div,按1、2、5進制共12檔； 基極電壓 0.5V/div～2V/div,按1、2、5進制共5檔； 一般性能： 使用電源：AC 220V/50Hz； 顯示面：7英寸顯示器； 分辨率：640×480； 視在功率：約80VA（非測試狀態），約300VA（最大功率）； 外形尺寸：415B×315H×720Dmm ； 重量：約37Kg； 作為眾多知名品牌的合作伙伴，EHSY Lab以其優良的品質和服務來閣下 員工的職業健康，安全環境和美好未來
產品提示：
智能半導體管特性圖示儀-半導體特性圖示儀, 半導體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導體管參數圖示儀, 半導體管測試儀, 半導體管特性圖示儀上海, 半導體管特性圖示儀價格 ，EHSY西域提供的智能半導體管特性圖示儀-半導體特性圖示儀, 半導體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導體管參數圖示儀, 半導體管測試儀, 半導體管特性圖示儀上海, 半導體管特性圖示儀價格 ，閣下智能半導體管特性圖示儀-半導體特性圖示儀, 半導體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導體管參數圖示儀, 半導體管測試儀, 半導體管特性圖示儀上海, 半導體管特性圖示儀價格，作為高品質智能半導體管特性圖示儀-半導體特性圖示儀, 半導體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導體管參數圖示儀, 半導體管測試儀, 半導體管特性圖示儀上海, 半導體管特性圖示儀價格 提供商，我們向全球客戶(其中也包括上海，廣州，廣東，北京，深圳，天津，蘇州，西安，東莞，成都，重慶，武漢，昆山，杭州， 南京等地)提供智能半導體管特性圖示儀-半導體特性圖示儀, 半導體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導體管參數圖示儀, 半導體管測試儀, 半導體管特性圖示儀上海, 半導體管特性圖示儀價格 。

CX2-4832（QT2）晶體管圖示儀，晶體管圖示儀

 CX2-4832（QT2）晶體管圖示儀

◆ 集電極電流范圍 : 0.5μA/div~ 1A/div, max10A（5v）◆ 集電極電壓范圍: 10mV/div-50V/div,max 500v◆ 階梯電流范圍:1μA/級~ 200mA/級◆ 集電極輸出電壓、電流 : 5000V（0.1A）10A（5V）

該公司產品分類： 其他 光電子科技產品 金屬探測器 勞保產品 工具 地質儀器 其它 物位計 液位計 流量儀表 轉速表 內窺鏡 檢測儀/校準儀 汽車檢測及外圍產品 多功能測試儀 驗電器 天平 鉗形表 示波器 電纜故障測試儀

CS3100巖琦晶體管圖示儀

（一）多用途性（Versatility）

現代的測試設備所須的功能，必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產品其電流可通過1200A及阻斷電壓可高達3300V，但不久之后IGBT的產品即會有達到4500V及2000A的能力。且無人可預測未來其電壓及電流可達到多少，再者，現今IGBT 的測試設備，也須能測試新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。

因此，測試設備的評估上，須能適應及符合未來可能的發展，其不論是硬體，如電壓電流產生器或軟體上。

IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了最佳的解決方案

（二）操作簡單（Ease of Handling）

測試設備除了上述之特色外，應仍保持操作簡單及效率佳的能力。達此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓練即可操作此設備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來會更加方便。此測試系統亦可經常地改變測試的半導體元件的型式（通常一天數次），對新的半導體元作的型式其可能會須要不同的制具（jig），或是更復雜的驅動閘控制，或是一緩沖器 （Sunbber） 的保護等。因此，使用模組化系 統即可達到上述之需求。在一個基本的測試系統上，加上一些可更換的測試單元，使其可執行不同范圍產品的量測。  

（三）安全性（Safety）

IGBT的測試系統因其可提供非常高的電壓輸出，對操作者來講是有一 潛在的危險性，當在操作高電壓及大電流時，操作員的安全性應予以考慮，即該設備須在不同國家的規范中皆可符合其安全標準。

在執行測試時，在危險的區域應使用滑動式門鎖定而予以保護，所有參數皆應設置于安全的工作區域中，所有的保護措施的控制皆應由硬體部份來控制，而不是軟體來控制。很顯然的，在整條生產線上（研發測試時），時間是一個很重要的因素，因此，安全系統必須要很方便，而盡可能地對測試的速度影響愈小愈好。  

靜態測試（Static tests）

此測試之目的在提供元件（device）的詳細特性，讓設計者能精確地預測元件在穩態（Steady state）情況時之行為，此可協助使用者選擇最佳的元件來用于他的應用中，更進一步地讓其對與半導體元件相連接的設備如：電壓鉗式單元，閘極驅動，冷卻系統等的設計更為妥切。

（一）集射極崩潰電壓 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量測于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會隨著介面（Junction）溫度增加而增加的（典型對600V之IGBT 會有0.7V/℃）

（二）集極至射極的泄漏電流IcEs ［或稱為集極的截止（Cut-off ）電流］

在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值（如圖2）, IcEs的量測通常在25℃及最大的工作介面（Junction）溫度，且集極泄漏電流 亦會隨介面溫度升高而增加。因此，在測試期間限制電流流過及避免 thermal升高是很重要的。

（三）集極至射極的飽和電壓   （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（圖3）是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時之集射極導通電壓VcEsat是相當重要的特性，因為其會決定導通之損失，在大的 極電流時，測試的脈沖必須非常短，如此不致有過多之損失。

（四）二極體順向電壓（Diode Forward Voltage） VF

VF（圖4）是指IGBT模組中的飛輪二極體（Freewheeling Diode）在特定電流

及介面溫度時之順向導通電壓值。  

（五）閘極臨界電壓（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（圖5）是指在特定集極電流及閘極短路至集極時之射極的電壓值。 當閘射極電壓小于臨界值時IGBT是OFF狀態，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導通并流過特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的（-11mV/℃）。

（六 ）跨導（Transconductance） gfs

跨導（gfs）（圖6）是于特定集極電流時，集極電流和閘射極電壓之商數 。 跨導是用來表示IGBT增益的方式。由于跨導的量測是在清楚嚴格的特定條件下所做的兩個量測之值，因此，測試設備的精準性對測試結果有很大的影向力。

第二種方法是調整閘射極電壓至特定的集射極電壓（VP）并思考下列式子：

△ VGE = △Vp

IGBT的順向跨導是會隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時，增加集極電流時，因電流Thermal run-away而會使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來當做一個線性放大器使用。  

（七）閘極至射極之泄漏電流IGEs

IGEs（圖8）是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時閘極之泄漏電流 。此測試可能可以知道正或負的閘射極電壓。所量測的電流是相當小的，因此，脈沖至少須維持一個電源周期的積分時間，避免因閘極電容吸收的電流所產生之誤差。此量測必須在閘極電壓穩定后才可進行。

HZ4838晶體管特性圖示儀

晶體管特性圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線，并可測量其靜態參數的測試儀器。它功能強，操作方便，對于從事半導體管機理的研究及半導體在無線電領域的應用，是必不可少的測試工具。

 

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