光學平臺產品及廠家
entech rie si591 平板電容式反應離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-12-02
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產上的先優勢。它以ptsa等離子體源、動態控溫基片電、全控真空系統、先進的sentech 控制軟件為基礎，采用遠程現場總線技術，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設計特點。
更新時間:2025-12-02
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統，感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置icp等離子源，動態溫控。
更新時間:2025-12-02
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產。
更新時間:2025-12-02
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設計生產，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-12-02
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅源。
更新時間:2025-12-02
德國 picosun p-1000 pro ald 生產型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-12-02
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉載，用工業機器人實現,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-12-02
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標準間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標準間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-12-02
p-300s 生產線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統實現,尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-12-02
p-300f,p-300bv 生產型原子層沉積機，p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統實現。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載，用真空批量load lock實現。
更新時間:2025-12-02
picosun p-200s pro ald 生產型原子層沉積機 ，襯底尺寸和類型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-12-02
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時間:2025-12-02
picosun™ r-200標準型原子層沉積機，picosun™ r系列設備提供高質量ald薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現極佳的均勻性，包括最具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-12-02
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。
更新時間:2025-12-02
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。
更新時間:2025-12-02
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機，是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。
更新時間:2025-12-02
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設備,該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統和微流體技術.
更新時間:2025-12-02
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優化了的電冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現高度穩定的工藝結果。
更新時間:2025-12-02
牛津opal開放式樣品載入ald設備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統，opal提供了業的熱ald設備，可以簡單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-12-02
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統（mems）、 先進封裝以及納米技術市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產的市場發展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-12-02
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機，市場應用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發，通過打造質量滿足生產需求。
更新時間:2025-12-02
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-12-02
adlema先進的檢漏機bt4000技 術 規 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時間:2025-12-02
美國kla insem ht原位高溫納米力學測試系統，納米壓痕儀，樣品加溫可達800 ℃，樣品尺寸可達10mm，裝樣系統與真空環境兼容
更新時間:2025-12-02
德國yxlon多用途高分辨率ct系統ff35 ct,微焦點、納米焦點雙射線 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置，可大限度提高 ct 應用 多功能性
更新時間:2025-12-02
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準器，采用經過行業驗證的組件，使oai成為光刻設備行業的導者。 200型是臺式面罩對準器，需要小的潔凈室空間。它為研發，或有限規模，試點生產提供了經濟的替代方案。利用創新的空氣軸承/真空吸盤調平系統，襯底快速平穩地平整，用于平行光掩模對準和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統能夠實現一微米分辨率和對準精度。
更新時間:2025-12-02
30型uv光源是高效的，可用于各種應用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當的燈（包括）。輸出功率范圍從200瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠程排氣風扇。
更新時間:2025-12-02
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-12-02
nanoarch p130是科研3d打印系統，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。
更新時間:2025-12-02
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統，通過全方位的設計優化，實現更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節能。
更新時間:2025-12-02
minilock-phantom iii 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-12-02
oracle iii由中央真空傳輸系統(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統獨立作業。 oracle iii是市場上最靈活的系統，既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-12-02
titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統。titan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-12-02
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統可以在緊湊的平臺上生產高品質的薄膜。獨特的反應器設計可以在在極低的功率生產具有優異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統可以滿足實驗室和中試生產環境中的所有安全，設施和工藝標準要求。
更新時間:2025-12-02
orion hdcvd 高密度氣相化學沉積系統采用高密度的化學氣相沉積技術，在惰性氣體進入口安裝感應線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創建等離子體,通過氣體環在襯底表面附近引入揮發性氣體。當惰性氣體與揮發性物質結合時，會發生化學反應，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-12-02
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等沿域。
更新時間:2025-12-02
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-12-02
denton 磁控濺射及電子束蒸發薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發、電阻蒸發、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-12-02
瑞士nanofrazor 3d納米結構高速直寫機，源于發明stm和afm的ibm蘇黎世研發中心，是其在納米加工技術的新研究成果。nanofrazor納米3d結構直寫機第 一次將納米尺度下的3d結構直寫工藝快速化、穩定化。
更新時間:2025-12-02
nanoarch科研3d打印機m160 ，本套系統創新地使用了自動化的多材料送料系統，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時打印4種樹脂基復合材料進行層間或層內多材料3d打印，適用于基礎理論驗證及原理創新研究，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。其主要應用在點陣結構材料、功能梯度材料、超材料、復合材料、復雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時間:2025-12-02
nanoarch微納3d打印機 p130/s130 ，科研3d打印系統，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。
更新時間:2025-12-02
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